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晶体管
RHU003N03FRAT106参考图片

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RHU003N03FRAT106

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7967
17.967
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.51528
515.28
3,000
¥0.40002
1200.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
RHU003N03FRA
商品其它信息
优势价格，RHU003N03FRAT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1492
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,877.8114
10:¥1,723.137
25:¥1,546.405
50:¥1,369.673
参考库存:25738
2PB709ART,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:25743
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:25748
ZXMC3A17DN8TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V Enhancement Mode
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:5410
IPI80N08S2-07
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:5752
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