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晶体管
IPD050N03L G参考图片

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IPD050N03L G

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库存:55,957(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
2,500
¥2.8928
7232
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
IPD050N03LGATMA1 IPD5N3LGXT SP000680630
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD050N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:28515
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:28267
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:5319
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥6.8365
10:¥5.2997
100:¥4.6443
500:¥4.1471
3,000:¥2.2487
9,000:查看
参考库存:15623
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