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晶体管
IRF6655TRPBF参考图片

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IRF6655TRPBF

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数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1529
715.29
500
¥6.328
3164
4,800
¥4.4296
21262.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SH
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
零件号别名
SP001562060
商品其它信息
优势价格,IRF6655TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:47001
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:47006
晶体管
达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:47011
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥2.5425
参考库存:47016
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:23324
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