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晶体管
2SC5359-O(Q)参考图片

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2SC5359-O(Q)

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 230V 15A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
230 V
集电极—基极电压 VCBO
230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5359
高度
26 mm
长度
20.5 mm (Max)
宽度
5.2 mm (Max)
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
180000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,2SC5359-O(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:22110
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:16707
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
1:¥8.7575
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
5,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:22117
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Sig Transistor NPN
1:¥3.842
10:¥2.7798
100:¥1.5933
1,000:¥1.1639
8,000:¥0.9379
24,000:查看
参考库存:40614
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
5,000:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:2966
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