MUN5233DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5233DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5233DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT150GN60JDQ4	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi	1:¥270.3977 5:¥258.2615 10:¥250.1933 25:¥229.9098	参考库存:1551
TK5A60D(STA4,Q,M)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm	1:¥12.3735 10:¥9.9892 100:¥7.684 500:¥6.7574	参考库存:2323
PXTA14,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7	1:¥3.842 10:¥2.9719 100:¥1.6159 1,000:¥1.2091 2,000:¥1.04525	参考库存:10315
AUIRFR4105Z	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms	1:¥10.9836 10:¥9.379 100:¥7.1981 500:¥6.3619	参考库存:2252
IRL2203NPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB	1:¥10.9836 10:¥9.379 100:¥7.2207 500:¥6.3732 1,000:¥5.0285	参考库存:44459