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晶体管
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KSC3503DS

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.8928
28.928
100
¥1.7628
176.28
1,000
¥1.3673
1367.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC3503
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
KSC3503DS_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSC3503DS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥117.6443
5:¥113.0339
10:¥108.8077
25:¥99.9711
参考库存:2972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:7664
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.6159
参考库存:139761
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,064.46
5:¥1,043.5663
10:¥994.9198
25:¥974.0261
参考库存:2763
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:23305
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