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晶体管
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FDMC8097AC

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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
3,000
¥6.0907
18272.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2 A, 6.3 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms, 1.03 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V, 3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 25 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC, 4.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10 W, 14 W
配置
Dual
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3 mm
系列
FDMC8097AC
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
750 mS, 6.4 S
下降时间
2.2 ns, 6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns, 1.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns, 5.4 ns
单位重量
196 mg
商品其它信息
优势价格,FDMC8097AC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:28085
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
1:¥1,080.5964
5:¥1,059.6236
10:¥1,024.6614
25:¥981.2468
参考库存:28090
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28095
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.8421
10:¥5.1076
100:¥3.8533
500:¥2.8476
3,000:¥1.9775
6,000:查看
参考库存:20597
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:28102
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