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晶体管
BSS606NH6327XTSA1参考图片

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BSS606NH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2318
32.318
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
2,000
¥1.2995
2599
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS606
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
零件号别名
BSS606N H6327 SP000691152
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，BSS606NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MG12100S-BN2MM
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AFT21S140W02SR3
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250:¥1,013.2936
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