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BSS159NH6327XTSA2

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1
¥3.842
3.842
10
¥2.938
29.38
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02943
3088.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS159
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
零件号别名
BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS159NH6327XTSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM70N10CH X0G
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250:¥548.8636
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