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晶体管
IKW75N60H3参考图片

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IKW75N60H3

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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:45,924(价格仅供参考)
数量单价合计
240
¥48.5674
11656.176
480
¥46.4091
22276.368
720
¥42.262
30428.64
1,200
¥36.8041
44164.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N6H3XK SP000906806
商品其它信息
优势价格,IKW75N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 30V
1:¥3.4578
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:33235
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:7967
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN LOW
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:16109
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:17886
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:5853
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