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晶体管
TK560A60Y,S4X参考图片

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TK560A60Y,S4X

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Tube
系列
TK560A60Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，TK560A60Y,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT2222ALT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.6159
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:89468
BC 857B E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 100 mA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:57860
STW20N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M5
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
参考库存:2142
ALD810017SCLI
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
1:¥39.6517
10:¥35.4255
25:¥31.8886
50:¥31.0411
参考库存:2009
2SB1124S-TD-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:11786
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