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晶体管
BSC160N10NS3 G参考图片

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BSC160N10NS3 G

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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.8026
68.026
100
¥5.2319
523.19
500
¥4.6217
2310.85
1,000
¥3.6499
3649.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSC160N10NS3GATMA1 BSC16N1NS3GXT SP000482382
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC160N10NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥3.842
10:¥2.8137
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10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.3616
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5:¥273.2453
10:¥264.7138
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1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
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1:¥43.957
10:¥35.2673
100:¥32.1937
250:¥29.041
参考库存:5758
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