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晶体管
CSD23381F4T参考图片

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CSD23381F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
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库存:38,687(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.96841
96.841
250
¥0.96841
242.1025
1,000
¥0.7458
745.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
970 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD23381F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23381F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:18045
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥36.8041
10:¥31.2784
100:¥27.12
250:¥25.7414
500:¥23.052
参考库存:2517
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:17239
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.6895
500:¥4.1471
5,000:¥2.9041
10,000:查看
参考库存:24471
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8704
1,000:¥5.6952
参考库存:6635
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