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晶体管
2N5783参考图片

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2N5783

  • Central Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45Vcbo 45Vcer 3.5A 40Vceo 3.5Vebo 10W
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数量单价合计
500
¥20.2835
10141.75
1,000
¥18.984
18984
2,000
¥18.0574
36114.8
5,000
¥17.3681
86840.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极—射极饱和电压
2 V
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5783
直流电流增益 hFE 最大值
150 at 1.6 A, 2 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
4 at 3.2 A, 2 V
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5783 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N5783的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5102
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched PNP Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:102054
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.7575
10:¥7.4354
100:¥5.7178
500:¥5.0511
800:¥3.9889
参考库存:28966
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:9468
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500MA 80V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:505455
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