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晶体管
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2N3710

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥43.2564
432.564
25
¥39.4144
985.36
100
¥35.5724
3557.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N3710
直流电流增益 hFE 最大值
330
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N3710的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥30.4309
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2892
1,700:¥15.2889
3,400:查看
参考库存:1260
晶体管
MOSFET P-CH 20V 3A
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
3,000:¥1.9436
参考库存:5047
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:2324
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:28761
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥30.0467
10:¥25.5832
100:¥22.1254
250:¥20.9728
参考库存:1258
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