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VS-GB150LH120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.87 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.389 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB150LH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC203302FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
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APTGT200DA120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥783.2256
参考库存:51314
2SD2118TLR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
2,500:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8645
50,000:¥1.8306
参考库存:51319
PXAC261212FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:51324
TIP125-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -60V -5A 40W
5,000:¥3.7629
参考库存:51329
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