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晶体管
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IPB80N04S2H4ATMA2

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数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9782
1597.82
250
¥15.142
3785.5
1,000
¥11.4469
11446.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB80N04S2-H4 SP001058130
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80N04S2H4ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
0910-150M
Microsemi
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10:¥2,786.3766
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10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
6,000:查看
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100:¥136.165
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500:¥118.9438
参考库存:37100
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