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产品分类

晶体管
IKFW50N60DH3XKSA1参考图片

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IKFW50N60DH3XKSA1

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数量单价合计
1
¥52.3303
52.3303
10
¥47.2566
472.566
25
¥45.0305
1125.7625
100
¥39.1093
3910.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
145 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW50N60DH3 SP001672364
商品其它信息
优势价格,IKFW50N60DH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET P-Ch 60V 40A Rdson=0.016Ohm
暂无价格
参考库存:35745
晶体管
MOSFET RH Mosfet
50:¥3,868.7358
参考库存:35750
晶体管
MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm
暂无价格
参考库存:35755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,140.0005
参考库存:35760
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
暂无价格
参考库存:35765
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