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晶体管
CSD17313Q2T参考图片

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CSD17313Q2T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
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库存:161,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
250
¥2.3391
584.775
1,000
¥1.8758
1875.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD17313Q2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
1.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.2 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格,CSD17313Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:4294
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:67701
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥14.7578
10:¥12.2944
100:¥9.5259
参考库存:16463
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6855
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:234382
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