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晶体管
SGH30N60RUFDTU参考图片

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SGH30N60RUFDTU

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数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
235 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGH30N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
SGH30N60RUFDTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,SGH30N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A 150W
1:¥24.8939
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1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
2,500:¥6.328
5,000:查看
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1:¥921.0856
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晶体管
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1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥14.1363
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晶体管
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1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:6106
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