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晶体管

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2SC5865TLQ

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 1A
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.243
124.3
1,000
¥0.92999
929.99
3,000
¥0.80682
2420.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5865
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SC5865TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:8927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109394
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 17.5V NPN HighG
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:20121
晶体管
MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥18.5207
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
参考库存:6078
晶体管
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
2,500:¥7.0738
5,000:查看
参考库存:16900
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