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晶体管
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MAT01GH

  • Analog Devices
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONO DUAL NPN
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数量单价合计
1
¥142.7642
142.7642
5
¥137.9278
689.639
10
¥133.0123
1330.123
25
¥126.6278
3165.695
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
800 mV
最大直流电集电极电流
25 mA
增益带宽产品fT
450 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
MAT01
高度
4.7 mm (Max)
长度
9.4 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
9.4 mm (Max)
商标
Analog Devices
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 uA, 15 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
2.276 g
商品其它信息
优势价格,MAT01GH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84251
晶体管
MOSFET N-channel 650 V MDMesh
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
参考库存:6688
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Switching Transistor PNP
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
3,000:¥2.1018
参考库存:36400
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
1:¥53.6298
10:¥48.4883
25:¥46.1831
100:¥40.115
参考库存:5207
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:6779
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