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晶体管
BSC252N10NSF G参考图片

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BSC252N10NSF G

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库存:79,990(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.7968
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N1NSFGXT SP000379608
商品其它信息
优势价格,BSC252N10NSF G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
1:¥478.0239
5:¥464.0345
10:¥454.1244
25:¥435.0726
250:¥385.7368
参考库存:28666
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:8668
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
3,000:¥5.5709
参考库存:28673
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 12V
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:36175
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.07576
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
参考库存:169867
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