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晶体管
FCP190N60-GF102参考图片

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FCP190N60-GF102

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数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.1362
6068.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP190N60_GF102
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
FCP190N60_GF102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FCP190N60-GF102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:23482
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.79891
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:23487
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
1,500:¥1.1639
参考库存:23492
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V HIGH GAIN
2,000:¥3.7064
参考库存:23497
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:23502
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