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晶体管
NGTB30N135IHRWG参考图片

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NGTB30N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII TO-24
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数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.8941
2889.41
250
¥27.4364
6859.1
500
¥24.5888
12294.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N135IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2732
晶体管
MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:422299
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 100V, 160A, 5.5mOhm
1:¥23.8995
10:¥21.5943
100:¥17.3681
500:¥13.5261
参考库存:2426
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41853
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2585
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