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晶体管
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FDMC86160

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库存：64,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
3,000
¥6.5653
19695.9
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.9 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
商标名
PowerTrench Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMC86160
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
152.700 mg
商品其它信息
优势价格，FDMC86160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH3004LK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET
1:¥7.684
10:¥6.6105
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:13770
DMN55D0UTQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:39712
IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6274
参考库存:7904
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
参考库存:1461
FF300R12KS4PHOSA1
Infineon / IR
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,173.5728
5:¥1,145.3793
10:¥1,116.9485
25:¥1,101.2754
参考库存:1318
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