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晶体管
IPW80R280P7XKSA1参考图片

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IPW80R280P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥24.0464
24.0464
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.0629
7531.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
101 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPW80R280P7 SP001422758
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,IPW80R280P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:9862
晶体管
IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:8564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:14256
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
1,000:¥3.9889
2,500:¥3.9889
参考库存:17063
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:24280
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