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晶体管
LET9045F参考图片

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LET9045F

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
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数量单价合计
1
¥639.3088
639.3088
5
¥627.5568
3137.784
10
¥599.2729
5992.729
25
¥579.2945
14482.3625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
70 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
LET9045F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
108 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
4.536 g
商品其它信息
优势价格,LET9045F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N ch MOSFET
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:3551
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,500:¥4.3618
9,000:查看
参考库存:9653
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥51.4828
10:¥46.33
25:¥42.1829
100:¥38.0358
参考库存:3615
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥9.0626
10:¥7.4806
100:¥5.7291
500:¥4.9381
3,000:¥4.9381
参考库存:61362
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:328009
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