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晶体管
IGW75N60T参考图片

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IGW75N60T

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
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数量单价合计
1
¥51.4037
51.4037
10
¥46.4882
464.882
25
¥44.2621
1106.5525
100
¥38.42
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N60TFKSA1 IGW75N6TXK SP000054927
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW75N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4118
晶体管
MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.9157
参考库存:11705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:12972
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:4889
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:18091
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