您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SI2309CDS-T1-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SI2309CDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:46,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
1 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI2309CDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2309CDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
参考库存:6250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1526
10,000:¥1.1413
参考库存:81762
晶体管
达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:27109
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A FAST IGBT FSII
1:¥71.6872
10:¥64.7716
25:¥61.7771
100:¥53.6298
参考库存:4491
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.962
参考库存:11318
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号