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晶体管
FQA13N80-F109参考图片

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FQA13N80-F109

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数量单价合计
1
¥32.2728
32.2728
10
¥27.4364
274.364
100
¥23.7413
2374.13
250
¥22.5887
5647.175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12.6 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA13N80_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
FQA13N80_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD80N3LL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:45539
DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0566
参考库存:45544
2N3495
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
1:¥78.6028
10:¥77.7666
25:¥72.0036
100:¥66.1615
参考库存:7032
MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:45551
TC8020K6-G M937
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET
3,000:¥47.9459
参考库存:45556
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