您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
HGTG18N120BND参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HGTG18N120BND

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:6,365(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥40.567
405.67
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.3463
8336.575
500
¥29.8885
14944.25
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG18N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG18N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG18N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:8389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:14081
晶体管
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
1:¥38,695.0872
参考库存:4078
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
参考库存:9065
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
2,500:¥5.989
5,000:查看
参考库存:13357
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号