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晶体管
SIHB23N60E-GE3参考图片

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SIHB23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥31.8095
318.095
100
¥26.2838
2628.38
250
¥23.1311
5782.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB23N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥129.3963
10:¥117.6443
25:¥108.8077
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参考库存:2470
晶体管
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1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.7577
5,000:¥9.4468
10,000:查看
参考库存:76542
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 105A 11.8mOhm 73nC Qg
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
800:¥15.0629
参考库存:2294
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
1:¥34.804
10:¥31.1202
25:¥27.9675
50:¥27.2782
参考库存:2911
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
1:¥27.6624
10:¥24.747
25:¥22.2836
50:¥21.6734
参考库存:2493
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