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晶体管
ALD212908PAL参考图片

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ALD212908PAL

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库存:1,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥36.1148
361.148
25
¥32.4988
812.47
50
¥31.6626
1583.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
780 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212908P
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD212908PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
5,000:¥1.4464
参考库存:128037
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
参考库存:23919
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4576
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.102
500:¥5.2432
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
参考库存:15198
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3325
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