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SIHH120N60E-T1-GE3参考图片

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SIHH120N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
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数量单价合计
1
¥55.7881
55.7881
10
¥49.7878
497.878
100
¥40.8043
4080.43
250
¥37.5725
9393.125
3,000
¥25.6623
76986.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.9 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH120N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCD380N60E
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
2,500:¥6.7574
参考库存:13591
PBLS6001D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:11393
J211-D74Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.78422
参考库存:43370
SISS02DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:1542
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:2014
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