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晶体管
IPB200N25N3GATMA1参考图片

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IPB200N25N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥47.4148
47.4148
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.4255
3542.55
1,000
¥26.894
26894
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPB200N25N3 IPB2N25N3GXT SP000677896
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB200N25N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 22KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:2416
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
1,000:¥5.0511
参考库存:22133
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
5,000:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:25795
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:153832
晶体管
MOSFET Dual 30V N Channel Mosfet
1:¥8.0682
10:¥7.0738
100:¥5.4579
500:¥4.0454
2,500:¥2.8476
5,000:查看
参考库存:26049
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