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晶体管
FP40R12KE3参考图片

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FP40R12KE3

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数量单价合计
1
¥669.7397
669.7397
5
¥657.4453
3287.2265
10
¥627.8619
6278.619
25
¥606.9569
15173.9225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP40R12KE3BOSA1 SP000083565
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP40R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
10:¥36.1148
25:¥35.4255
100:¥32.883
参考库存:22793
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥1.07576
参考库存:22798
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:22803
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
3,000:¥0.99101
9,000:¥0.92208
参考库存:92400
晶体管
MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥12.2944
500:¥11.526
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.5259
参考库存:17402
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