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STGWA25H120DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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10
¥53.1778
531.778
25
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100
¥44.0248
4402.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，STGWA25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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