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晶体管
CGHV27060MP参考图片

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CGHV27060MP

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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1
¥775.9258
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250
¥775.9258
193981.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 90 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QSOP-20
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
-
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 90 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
单位重量
241.200 mg
商品其它信息
优势价格，CGHV27060MP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:32976
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
2,500:¥2.3278
参考库存:16308
IPAN70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥5.9438
100:¥3.8307
1,000:¥3.0736
参考库存:4680
IPD50N06S4L12ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2826
参考库存:35842
IPA60R280P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:6154
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