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产品分类

晶体管
IPAN70R900P7SXKSA1参考图片

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IPAN70R900P7SXKSA1

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库存:4,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.9438
59.438
100
¥3.8307
383.07
1,000
¥3.0736
3073.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
740 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPAN70R900P7S SP001703476
商品其它信息
优势价格,IPAN70R900P7SXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
1:¥71.4612
10:¥64.5456
50:¥61.5511
100:¥53.4829
参考库存:11562
晶体管
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:13679
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.8139
2,500:¥6.4975
参考库存:15346
晶体管
MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
1:¥91.0554
10:¥83.6765
25:¥80.2187
100:¥70.6928
参考库存:5413
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:35660
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