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晶体管
FDP22N50N参考图片

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FDP22N50N

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数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
312.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP22N50N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP22N50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
8,000:¥0.23843
24,000:查看
参考库存:100951
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:3953
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W PNP
1:¥49.7878
10:¥45.0305
50:¥42.9513
100:¥37.2674
参考库存:4935
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:32767
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.2997
10:¥4.4635
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
2,000:¥2.0566
参考库存:9999
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