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晶体管
IPD50N06S4L12ATMA2参考图片

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IPD50N06S4L12ATMA2

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数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2826
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
IPD50N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD50N06S4L-12 IPD5N6S4L12XT SP001028640
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50N06S4L12ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:19194
晶体管
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
800:¥14.6787
参考库存:10601
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥11.30
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.3958
1,000:¥5.198
3,000:¥4.9946
参考库存:17738
晶体管
MOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL 7" Q1/T
1:¥4.0002
10:¥3.4239
100:¥2.5538
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3786
参考库存:60450
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
参考库存:3837
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