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晶体管
MTB50P03HDLT4G参考图片

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MTB50P03HDLT4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm
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数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
800
¥13.9894
11191.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
系列
MTB50P03HDL
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
218 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
340 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,MTB50P03HDLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥1.2091
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10:¥3.5708
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1,000:¥1.8419
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1:¥3.616
10:¥2.5086
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1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:45289
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