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晶体管
DMN5L06DWK-7参考图片

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DMN5L06DWK-7

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
305 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
490 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
0.4 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN5L06
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
8.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.4 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMN5L06DWK-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:16688
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥44.0248
10:¥37.4256
100:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
参考库存:7385
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.893
500:¥6.0907
2,500:¥4.2601
10,000:查看
参考库存:17232
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM
1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.746
500:¥4.1923
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:17674
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
1:¥7.2207
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
5,000:¥2.7459
10,000:查看
参考库存:20961
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