BSM400C12P3G202详细参数_参考价格_BSM400C12P3G202 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.7 V at 400 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	55 ns
下降时间	45 ns
Id-连续漏极电流	358 A
Pd-功率耗散	1570 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	40 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	180 ns
典型接通延迟时间	55 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSC027N04LS G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0625 1,000:¥5.8534 5,000:¥5.8534	参考库存:125902
DMN3026LVTQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:19199
PMZ950UPELYL	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMZ950UPEL/XQFN3/REEL 7" Q1/T1	1:¥3.616 10:¥2.3278 100:¥0.99892 1,000:¥0.7684 10,000:¥0.52206 20,000:查看	参考库存:35166
TK290P60Y,RQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A	1:¥12.3735 10:¥9.9101 100:¥8.6784 500:¥6.7122 2,000:¥4.7008 10,000:查看	参考库存:34003
SQJB80EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified	1:¥9.4468 10:¥8.3733 100:¥6.8817 500:¥5.3788 3,000:¥3.8985 6,000:查看	参考库存:20560