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晶体管
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BSG0811ND

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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
5,000
¥7.2659
36329.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms, 700 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC, 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.15 mm
长度
6 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S, 90 S
下降时间
1.4 ns, 2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSG0811NDATMA1 SP001075902
单位重量
230 mg
商品其它信息
优势价格,BSG0811ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington
1:¥3.0736
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:2893
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1585
800:¥4.859
参考库存:26030
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3901
500:¥4.7686
2,500:¥3.3335
10,000:查看
参考库存:23552
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.8669
100:¥45.0305
参考库存:2494
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:716601
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