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晶体管
SQM40061EL_GE3参考图片

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SQM40061EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.1473
4073.65
800
¥6.6896
5351.68
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
185 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
103 S
下降时间
160 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
145 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SQM40061EL_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC808-25LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V PNP
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:132547
IMD9AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:10029
2N5400
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pr Amp
1:¥4.5313
10:¥3.9324
100:¥2.7233
1,000:¥2.034
参考库存:39906
FQL40N50F
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Channel FRFET
1:¥77.7666
10:¥70.3086
25:¥67.009
100:¥58.2402
参考库存:4853
BUK7Y65-100EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 65 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:5105
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