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晶体管
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BSC010NE2LSATMA1

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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSC010NE2LS BSC1NE2LSXT SP000776124
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，BSC010NE2LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3906-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V -200mA TO-92
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.48364
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:197252
BST52TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:38714
IPP60R190C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:36076
SI3443DV
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT6 SINGLE PCH
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:62688
DDB6U30N08VR
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 26A
1:¥136.0859
10:¥125.1701
25:¥119.9495
100:¥105.7341
参考库存:3090
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