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晶体管
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IRF8707GTRPBF

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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
4,000
¥1.2656
5062.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
14.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.3 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
SP001566566
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，IRF8707GTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:21733
BUT30V
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power Module
1:¥250.5775
5:¥247.9672
10:¥231.1302
25:¥220.7568
参考库存:6050
SSM6N67NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
1:¥4.2262
10:¥2.7685
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:14467
2N6660
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 3Ohm
1:¥87.5976
10:¥86.3659
25:¥80.2978
100:¥72.772
参考库存:5249
FQU9N25TU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3619
500:¥5.6274
参考库存:22211
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