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晶体管
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FQU9N25TU

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数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU9N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQU9N25TU_NL
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK4151TZ-E
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